东吴证券:存储行业周期拐点确立 看好产业国产化进程加速

东吴证券认为,存储产业投资重点看三条主线:1)龙头厂商。2)国产化主线。3)建议关注国内存储芯片材料设备、设计、晶圆及代工厂、模组、封测等产业链相关厂商。

智通财经APP获悉,东吴证券发布研究报告称,通过对产业链主要玩家减产动作、库存及价格开始见底反弹等观测,认为当前存储行业拐点已至,并且在部分DRAM价格上涨、NAND Flash wafer合约价成功拉涨、国产化主线确定等催化下,该行在当前时点看好存储产业尤其是国产化进程加速。伴随下游AI服务器、新能源汽车等新需求及消费电子、家电、工控等多领域需求复苏催化拉动,基于产业配套及国产化替代等逻辑,该行认为存储产业投资重点看三条主线:1)龙头厂商。2)国产化主线。3)建议关注国内存储芯片材料设备、设计、晶圆及代工厂、模组、封测等产业链相关厂商。

东吴证券主要观点如下:

存储行业周期拐点确立,国产化进程加速:

伴随需求回暖、单设备存储容量提升以及备货潮,存储市场规模逐步恢复增长。存储颗粒2023Q3价格环比跌幅收敛,部分产品已出现涨价现象。DRAM目前跌价过多的低价颗粒已出现涨价,且合约价后续跌幅有限,DDR4部分产品的现货价格分别于8月底及9月触底后出现反弹迹象,环比8月涨幅0%~10%,市场逐步回暖。此外,NAND Wafer相继强势拉涨,并且上游的涨价有望持续发酵。龙头大厂三星等酝酿涨价背景之下,国内存储厂商也陆续跟进。国产厂商DRAM和NAND的技术水平向海外主流水平靠近,份额占比逐步提升,存储国产化主线确立。

存储厂商减产计划持续,库存拐点开始显现:

海外大厂稼动率持续下降助力加速库存去化,根据TrendForce数据显示,2023年Q2三星/美光/海力士的稼动率分别下降至77%/74%/82%,海力士与美光23年Q2的资本开支分别同比下降62%/40%,并加速布局HBM新产品。此外,2023年中报数据显示大部分模组厂库存原材料环比增长,绝大多数模组厂库存周转天数环比有所下降,模组厂开始备货,预期未来量价齐升;部分IC厂商库存商品环比减少,存货周转天数环比有所下降,库存去化效果良好,效益有望下半年显现。另外DRAM和NAND的全球市场规模从2023Q2开始环比提升,DRAM2023Q2全球市场规模环比提升20.4%,NAND2023Q2全球市场规模环比提升7.4%。伴随下游需求逐步回暖,存储市场供过于求与存储器价格下跌情形逐步扭转,各厂家库存水位有望逐步正常化,行业业绩有望恢复增长态势。

消费电子、AI服务器、车载等多领域助力存储行业回暖:

消费电子行业需求回暖、AI浪潮袭来与汽车市场景气度上升将推动存储行业回暖。2023Q2笔电市场需求连续六个季度以来首次恢复成长,智能手机出货量同比降幅收窄,TWS耳机Q2实现环比增长,可穿戴设备市场中国产品牌份额持续提升。2023年全球AI服务器存储市场规模为76亿美元,预计2026年能达到492亿美元,23-26年CAGR为86.4%;根据Yole数据,2027年车载存储市场规模达到125亿美元,2021-2027年CAGR为20%。消费电子、AR/VR新品、AI服务器和车载等领域的增量拉动了NAND和DRAM存储器的需求回暖。

风险提示:下游复苏不及预期风险;存储价格反弹不及预期风险;宏观经济形势变化风险;龙头厂商减产不及预期风险。

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