台积电（TSM.US）5nm良率已达40%，明年七月有望量产

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据报道，晶圆代工龙头台积电（TSM.US）5 纳米制程明年将量产，已进入风险试产阶段，美系外资指出，目前5纳米制程良率约35-40%，以同时间来看，表现已优于7奈米，可望在明年7月量产；外资也看好，在英伟达GPU、5G RF芯片与AirPods芯片需求强劲下，台积电12/16纳米制程仍将持续满载。

外资指出，英伟达（NVDA.US）新推出的中低阶应用图灵(Turing) GPU，采用台积电12纳米制程，而海思用于5G手机的RF混合讯号芯片、苹果（AAPL.US）AirPods 2与AirPods Pro的H1芯片，均采用16纳米制程，在需求强劲下，明年AirPods 整体出货可望超过1.1亿套，在英伟达GPU、5G RF 芯片与AirPods芯片需求推升下，外资看好，台积电12/16 纳米制程仍会持续满载。

台积电 5 纳米制程明年将量产，南科18厂一期目前正在进行装机作业，明年第2季月产能可望达5.5万片。外资表示，据供应链消息指出，台积电目前5纳米良率约35-40 %，表现优于7 纳米制程初期，且明年上半年良率将持续拉升，并于 7 月进入量产阶段，外资并预估，18厂二期5.5万片产能，将在2021年上半年就绪。

台积电对5纳米发展深具信心，在日前法说会上，总裁魏哲家也说，看好5纳米将会有很好的表现，并取得很高的市占率。而台积电也因此上调今年资本支出至140至150亿美元，增加高达40亿美元，增幅高达4成，除超过外资预期，也创台积电资本支出新高纪录。

在此次增加的40亿美元资本支出中，其中25亿美元将用于5纳米制程，台积电强调，在与客户紧密合作、沟通后，发现需求相当强劲，因此决定扩增5纳米投资，这25亿美元资本支出将在明年第2、3季陆续投产，另外15亿美元则用于7纳米制程。（编辑：孟哲）