赛微电子(300456.SZ)拟在青州建设6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目

智通财经APP讯，赛微电子(300456.SZ)发布公告，2021年4月1日，公司与青州市人民政府签署了《合作协议》，本次签署的《合作协议》涉及对公司第三代半导体业务的投资。

据悉，第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等，因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV)，又被成为宽禁带半导体材料，与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

公司本次与青州市人民政府签署《合作协议》，拟在青州市建设6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目，若项目顺利建成，将有助于公司进一步完善GaN业务的全产业链布局，把握GaN业务发展的关键机遇窗口，逐步形成自主可控的生产制造能力，促进公司相关业务的长远发展。