智通财经APP获悉,存储芯片厂商美光科技(MU.US)2024财年第三季度总营收68.11亿美元,同比增长81.5%,略好于市场预期;同期实现净利润3.32亿美元。在近期业绩会上,公司预计Q4毛利率增加6pcts,主要受定价环境和产品组合推动,比如HBM和高容量DIMM。预计FY25价格会继续上行,产品组合会继续发挥积极影响,尤其是数据中心板块的增长,今年年末将会出现手机和PC的换机周期,然后是AI终端推动内容量提升,这个进程会从CY24H2持续到25年早期。
展望24年,CY24DRAM、NAND位元需求增长10%,中长期DRAM增速mid-10%,NAND增速high10%。供给方面,预计CY24按行业供给低于需求,HBM产能增长将积压非HBM产品攻击增长,HBM3E的晶圆消耗量是DDR5的3倍(同一节点、同一容量条件下);HBM4该比例将更高,美光FY24位元供给增长将低于需求增速;公司预计FY24晶圆产能将比FY22的峰值下降10%,公司将利用现有库存推动FY25的部分位元增长。
公司表示,HBM CAGR未来几年将大于50%;随着公司未来增加HBM组合,HBM对公司业绩、利润率将有积极影响。公司目前2025年的产能已经售罄,且定价已经锁定,这对于公司实现既定目标有利,公司预期25年某个时刻能够达到DRAM份额。公司正在与更广泛的客群接触,明年计划向更多客户发货,但同时,由于HBM的复杂度,资格认证也会更复杂,但公司在客户那边实现了与竞争对手相比低30%的功耗表现,这体现出公司的基数优势。
Q&A
Q:公司HBM3E进度?是否有望获得新的客户或在英伟达获得更多产品定点?竞争对手提到缩短HBM开发周期,公司有什么看法?
A:公司本季度获得1亿美元以上HBM收入,FY24预计获得数亿美元收入,FY25获得数十亿美元收入。公司目前的重心在于提高产量和良率,目标在25年某个时候达到与DRAM接近的市场份额;客户普遍认为公司HBM3E的功耗比竞争对手低30%,公司正在和其他客户做资格认证,目标在25年扩大客群,HBM4和HBM4E方面,公司对路线图和领导力充满信心。
Q:公司NAND位元需求增速指引较上季度下修,原因是什么?
A:主要是基准年的变化,这次的基准年是2023年,2023年NAND的位元出货量基数较高。数据中心SSD会是一个很好的需求驱动力,数据中心、汽车、工业的CAGR会大于平均CAGR,PC、手机、消费电子较慢,但仍有增长,AIPC和AI手机将会是驱动力。公司强调CAGR是因为这是扩产规划的重要指标,公司会保持审慎原则,并高度关注供需平衡和投资回报率。
Q:HBM3E3倍消耗量到25年依然成立吗?12层会有什么影响?
A:对于HBM3E,3倍是一个有效的指标,这取决于HBM3E的封装、更大的芯片,3倍即使在成熟的良率水平也依旧成立,良率提升主要带来的是成本下行。HBM4同理,在成熟良率下,这个指标会大于HBM3E的3倍;12层HBM3E则与8层一样是3倍。
Q:FY25毛利率的影响因素?
A:公司不会提供FY25的具体指引。
公司预计Q4毛利率增加6pcts,主要受定价环境和产品组合推动,比如HBM和高容量DIMM。公司预计FY25价格会继续上行,产品组合会继续发挥积极影响,尤其是数据中心板块的增长,今年年末将会出现手机和PC的换机周期,然后是AI终端推动内容量提升,这个进程会从CY24H2持续到25年早期。供给方面,现在市场产能结构性处于低位,库存呈下降趋势,库存会持续减少至FY25,HBM也会消耗更多晶圆,产品组合上也有顺风。
Q:公司目前的HBM产能情况?公司对下半年和25年的盈利表现有何看法,尤其是大部分HBM订单价格锁定的可见度?
A:HBM这个季度收入1亿美元,全年数亿美元,FY25数十亿美元,FY25某个时候份额将达到DRAM水平,这些假设都是基于现有HBM产能,公司会继续努力提高产能。盈利方面,DRAM利润率高于公司利润率,NAND利润率是拖累公司整体表现的逆风。
Q:FY25Capex的预计数额?如何考虑FY25或CY25的位元供给增速?
A:公司不会对FY25的收入或资本支出做出具体指引,但公司预期会同比增长。公司预计FQ4Capex从FQ3的21亿美元增至30亿美元,之后几个季度环比增幅会收窄,但支出水平会增加。库存方面,预计FY25年底达到目标库存水平。
Q:HBM份额目标取决于哪些因素?公司如何制定目标的?
A:HBMCAGR未来几年将大于50%;随着公司未来增加HBM组合,HBM对公司业绩、利润率将有积极影响。公司目前2025年的产能已经售罄,且定价已经锁定,这对于公司实现既定目标有利,公司预期25年某个时刻能够达到DRAM份额。公司正在与更广泛的客群接触,明年计划向更多客户发货,但同时,由于HBM的复杂度,资格认证也会更复杂,但公司在客户那边实现了与竞争对手相比低30%的功耗表现,这体现出公司的基数优势。
Q:公司明年大部分资本支出将用于绿地和HBM,剩余部分在DRAM和NAND如何分配?公司对NAND资本密集度的展望
A:公司Capex以DRAM为主,尤其是HBM,HBM对洁净室的要求、对封装、测试设备的要求,体现出其资本密集型的特点,因此公司支出以此为主。NAND支出只占总支出的一部分,公司在NAND方面有技术优势和产品组合优势,公司在CAPEX上会保持自律性。放缓节点转变是有积极意义的,这样可以更好地管理位元增速并获得价格收益。
综上,NAND资本支出明显较小,公司保持自律性,根据需求管理供给增量,NAND的技术转型已经可以满足需求,这意味着不需要新的洁净室、绿地项目,这与DRAM和HBM有所不同。
Q:考虑到定价顺风,为什么还要签订HBM长协?
A:长协有助于维护客户关系,这不仅关于供给和定价,还包括技术路线图、产品路线图和交付时间,25年公司将获得可观收入,这都与现有合同有关,此外,公司盈利能力也会受益于这些长协合同。
Q:台湾地震对下季度有影响吗?
A:没有。
Q:服务器SSD现在占公司NAND占比约20%-25%,这对毛利率有什么影响?公司是否会将第五代SSD用于AI场景?
A:数据中心SSD将推动NAND整体的利润表现,公司232层NANDAISSD出货量增长三倍,完全面向AI数据中心场景,公司拥有广泛的客户群,并致力于与客户合作以进一步扩大份额,公司数据中心ssd收入环比增长50%。
第五代SSD还不会披露具体细节,但从增长的可持续性看,公司会依靠强大的产品组合,推动数据中心SSD的增长。