ETF异动 | 存储概念ETF集体上扬 SK海力士计划将内存芯片晶圆产能翻倍 小摩指行业财务前景进一步强化

存储概念ETF集体上扬,截至发稿,南方两倍做多三星电子(07747)涨5.55%,报237.8港元;南方两倍做多海力士(07709)涨3.56%,报144.05港元。

智通财经APP获悉,存储概念ETF集体上扬,截至发稿,南方两倍做多三星电子(07747)涨5.55%,报237.8港元;南方两倍做多海力士(07709)涨3.56%,报144.05港元。

消息面上,近日,SK集团董事长崔泰源在中国台北2026年Computex大会上指出,全球存储芯片供应缺口预计将延续至2030年,这意味着SK海力士需要通过加码购置阿斯麦EUV光刻机、最先进HAR刻蚀与薄膜沉积设备等等资本支出扩张和产能扩产行动来缓解长期供需失衡。SK海力士正启动历史性的存储芯片产能扩张计划,计划在未来五年内将内存芯片晶圆产能翻倍,以应对全球人工智能基础设施建设对存储芯片的持续强劲需求。

小摩观点分析指出,自3月财报电话会以来,存储芯片行业财务前景进一步强化,预计高带宽内存(HBM)、DRAM和NAND闪存的供应紧张局面将持续至2026年后较长时间,看好存储芯片板块未来发展前景。

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