方正证券：光刻材料全链条国产提速 高端品进入规模化交付新阶段

智通财经APP获悉，方正证券发布研报称，当前中国大陆晶圆制造、先进封装及OLED显示面板用光刻胶仍严重依赖进口，在国产替代需求加速释放、本土晶圆和面板产能持续扩张、三维堆叠等多重因素推动下，国产光刻胶厂商迎来战略机遇期。未来随着光刻材料原材料国产化取得突破，将促进光刻材料国产化应用进一步落地。

方正证券主要观点如下：

从当前中国大陆前道工艺扩产节点看，KrF和ArF光刻胶需求量有望快速增长。逻辑芯片：随着技术节点不断微缩，ArF浸没式光刻应用将大幅增长，从40nm的少量应用增至7nm工艺可超35层;KrF光刻是65nm至16nm工艺应用最多的光刻工艺，光刻层数为25至30层;i-Line光刻在130nm至90nm工艺中的应用层数约为20层，超总光刻层数50%。3DNAND：随着堆叠技术快速提升工艺层数，促使光刻层数对应增加，KrF光刻作为3DNAND应用最广泛的光刻工艺，光刻层数持续增加。DRAM：在18nm以下技术节点，KrF光刻层数超过50%，ArF和ArF浸没式光刻层数各占约25%。在三维集成与先进封装行业的高速发展下，先进封装对光刻胶及配套试剂的需求逻辑已从以往跟随封装产量的线性增长转向以堆叠层数为自变量的超线性扩张新范式。以HBM为例，每一层DRAM堆叠都需要独立的光刻工艺，堆叠层数每翻一番，光刻工艺次数大致翻倍。

全球半导体光刻胶由东京应化、信越化学、JSR、美国杜邦等日美企业主导。根据中国电子材料行业协会数据，当前我国g/i线光刻胶国产化率约20%-25%，仍处于较低水平，KrF光刻胶国产化率约3%，ArF光刻胶国产化率不足1%。国产半导体光刻胶企业凭借国产替代、新产线投建等契机实现突破，同时国内主流逻辑和存储芯片客户主动调整工艺来匹配国产光刻胶性能，半导体光刻胶迎来国产替代黄金窗口期。目前国产KrF光刻胶已进入加速起量阶段，ArF光刻胶正处于从研发验证向量产交付的关键窗口期。

随着LCD产能向国内转移及AMOLED产线扩建，中国大陆已成为全球面板制造核心，面板光刻胶需求快速扩容。8K显示、柔性OLED、MiniLED等先进技术逐步成熟并实现产业化落地，显著提升高性能光刻胶的技术门槛与应用要求。目前LCD光刻胶国产替代进度相对较快，OLED光刻胶仍由国外企业垄断。随着面板厂商对关键材料的供应安全与自主可控愈发重视，导入国产光刻胶的意愿显著增强，国产替代需求加速释放。一方面，国产光刻胶有助于降低对海外供应的依赖，提升供应链稳定性;另一方面，在性能接近的前提下，国产光刻胶在成本控制与交付响应速度方面具备明显优势。

中国大陆光刻材料早期发展较为缓慢，致使光刻材料原材料的开发缺乏动力和目标，间接导致现阶段中国大陆光刻材料原材料仍然大部分依赖进口。随着光刻材料国产化持续推进，光刻材料原材料如光敏剂、树脂、溶剂等同样具备长足市场发展空间。未来随着光刻材料原材料国产化取得突破，将促进光刻材料国产化应用进一步落地。

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风险提示：下游终端市场需求不及预期风险，新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，市场竞争加剧风险，系统性风险等。