三星下半年完成4LPE技术，预计4nm明年流片

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去年10月，三星代工厂正式开始使用其7LPP（7纳米低功率+）制造工艺生产芯片，此后并未放缓其制造技术的发展。该公司有望在2019年下半年采用其精制的6LPP（6纳米低功率）技术开始批量生产。此外，该公司表示将推出其首款5LPE（5纳米低功率早期）SoC并且将在未来几个月内完成其4LPE（4纳米低功率早期）工艺的开发。

由于DRAM和NAND价格下降，三星半导体业务的综合收入在第二季度下降至16.09万亿韩元（143.02亿美元），而营业利润总计为3.4万亿韩元（28.77亿美元）。虽然三星的内存业务疲软，但该公司表示其代工业务表现强劲。

据三星称，其合同生产部门对使用10LPP / 8LPP技术制造的移动SoC以及使用14LPx / 10LPP工艺制造的移动，HPC，汽车和网络产品的需求强劲。总的来说，很明显三星代工厂使用其领先的FinFET工艺技术生产大量优质产品。在未来几年内，三星代工厂将通过优化或插入高级模块继续使用其14 nm，10 nm和7 nm节点，以满足特定应用的需求。与其他半导体合约制造商一样，三星改进其每个节点以满足各种应用和客户的需求，而不是每18至24个月就有一个截然不同的节点（就像过去传统的芯片制造商一样）。考虑到工程师必须克服开发新制造技术的所有困难，该方法使三星能够更好地管理其研发成本和制造风险。

正如所料，极紫外光刻（EUV）将成为三星领先的下一代制造工艺的关键推动因素。使用EUV的第一项技术是7LPP，其后续产品将更广泛地使用它。

今年晚些时候，三星将采用其6LPP工艺技术开始生产芯片，。三星的6LPP是三星7LPP的精制版，密度提升了10％，具有更低的功耗，但可以重复使用最初为7LPP设计的IP。此外，6LPP为愿意开发全新IP的客户提供智能结构支持。因此，三星的客户要么能够重新使用没有智能结构的7LPP IP，要么使用后者，但必须依赖新的IP。除了智能结构，6LPP还将增加对多扩散中断等功能的支持。

三星7LPP生产技术发展的下一步将是其5LPE制造工艺。与6LPP相比，这在功率，性能和面积方面提供了更多的优势，但也可以重用最初为初始过程设计的IP。三星预计将在今年下半年推出使用其5LPE技术的首批芯片，预计将在2020年上半年大规模生产。

三星预计，在客户流失方面，5LPE将成为其2020年的主要EUV节点，可能是因为该技术将能够为各种应用提供众多优势，而三星的EUV产量将会更高。6LPP和5LPE技术将比7LPP工艺更广泛使用的另一个原因是因为三星铸造厂将在未来几个月内建立其在Hwaseong的EUV生产线后拥有更多的EUV产能，Hwaseong是从一开始就为EUV设备而设计的。该工厂耗资46.15亿美元，不久将完工，预计将于2020年开始大批量生产。

三星7LPP发展的巅峰之作将是该公司的4LPE技术。三星将在今年下半年完成其开发，因此预计第一次流片将在2020年完成，在2021年完成批量生产。