晶圆制造产能吃紧，众厂商急吼吼扩产

本文来自微信公众号“芯思想”，作者：赵元闯。

2020年和2021年晶圆制造产能相当吃紧，在产能为王的时期，IDM运营的公司具有相当的产能保证，可以有很大的腾挪空间。IDM手握充裕的产能，将是打击竞争对手的大杀器。

芯思想研究院为您梳理了全球19家公司30个新增或扩产项目的情况，不包括存储扩产项目。

最紧缺的是高压MOS产能，这个是IDM公司最具实力的。

代工产能最快也得2022年开始释放。

士兰微

士兰集科：2021年将加大工艺设备采购力度、加快工艺设备安装和调试，争取在2021年四季度形成月产12英寸3万片的生产能力。士兰集科一期于2020年12月21日正式投产。

士兰集昕：2020年士兰集昕8英寸月产能已经超过6万片，今年将有望达产8万片。

华润微

华润微计划在重庆建设第一条12英寸产线，预计在2022年可以实现产能贡献。规划月产能为3万片，未来将全部用于生产自有功率器件产品。

博世

2021年3月，博世德累斯顿晶圆厂首批硅片下线，为下半年正式启动生产运营奠定基础，该晶圆厂投入运营后，主攻车用芯片制造。

博世德累斯顿晶圆厂从2018年6月开始施工建设，2019年下半年完成外部施工，2020年安装调试生产设备，2021年1月开始进行首批晶圆的制备。

德州仪器(TXN.US)

2021年完成德克萨斯州理查德森（Richardson）12英寸晶圆厂厂房建设，预计2023年至2025年达产。

该项目始于2019年，但由于低迷的半导体市场，进展不如预期顺利。

华虹无锡

2021年4月19日，无锡市发展和改革委员会网站公布了无锡华虹集成电路一期扩能项目情况，同时无锡华虹集成电路一期扩能项目已入选无锡2021市重点产业项目。

无锡华虹集成电路一期扩能项目单位为华虹半导体（无锡）有限公司，计划总投资52亿元，将形成一条工艺等级90-65/55nm、月产能达到6.5万片的12英寸特色工艺集成电路芯片生产线。

项目建设起止年限为2021年，当年计划投资为52亿元。

中芯国际(00981)

2021年2月5日，中芯国际联合CEO赵海军在2020年第四季度电话财报会议上指出，公司在2021年将继续保持满载运行，有序推动28nm及以上的扩产计划，同时保证一定的盈利能力。

赵海军指出，目前全球晶圆代工产能十分紧张，主要因为市场需求增长远超预期，同时晶圆厂的扩产速度相对缓慢。

关于中芯国际的扩产计划，赵海军透露，中芯国际2021年的12英寸月产能将扩充1万片，8英寸的月产能将扩充4.5万片。不过，由于整体扩产将在下半年完成，因此扩产不会对营收带来显著增长。

同时中芯国际还有两大新厂计划：

中芯京城项目：中芯控股、国家大基金二期和亦庄国投三方合资投建，一期项目计划投资76亿美元，约合人民币500亿元，建设规模约为24万平方米，最终达成每月约10万片的12英寸晶圆产能，计划2024年完工。

中芯深圳：2021年3月17日，中芯国际发布公告称，将和深圳政府拟以建议出资的方式，经由中芯深圳进行项目发展和营运，重点生产28纳米及以上的集成电路并提供技术服务，旨在实现最终每月约4万片12英寸晶圆的产能。预期将于2022年开始生产。待最终协议签订后，项目的新投资额估计为23.5亿美元，折合人民币约为153亿元。

晶合集成

晶合集成N1厂已经实现满载。

N2厂的建设正在有条不紊地推进中，将于2021年完成无尘室建设和生产机台入驻，在2022年底实现1万片/月生产规模。规划月产能为4万片12英寸晶圆，主要从事55纳米代工制程的量产，同时开展40纳米工艺制程的开发。

N3厂规划提上日程，计划建置16万片产线生产无尘室。

粤芯半导体

二期投资65亿元，新增月产能20000片；专注于55-90nm模拟工艺平台，生产高精度数模转换芯片、高端电源管理芯片、光学传感器、车载及生物传感芯片等产品；计划2021年投资14亿元，完成无尘车间装修、设备安装以及生产辅助设施建设。

海辰半导体

主要从事CIS（摄像电路）、DDI（驱动电路）、PMIC（电源管理集成电路）及NAND存储器等代工业务，也正在开发逻辑、MEMS和混合信号芯片等新的代工业务。

2020年第四季开展商业化生产；

2021年有望形成月产5万片产能；

2022年达产11.5万片。

台积电(TSM.US)

南京：2021年4月22日，台积电宣布28.87亿美元投资，在南京厂扩充月产2万片28nm及以上工艺产能。引来国内一片讨论声。

2021年台积电资本开支由年初的250亿美元至280亿美元提升至300亿美元，其中约80%将用于3纳米、5纳米和7纳米等先进工艺；约10%分配给先进封装和光罩；约10%用于特殊工艺。

台积电准备在美国亚利桑那州投资数百亿美元建设一座先进的芯片晶圆工厂，主要用于生产5nm芯片。5nm新厂规划月产能2万片，2021年动工，2024年左右量产，2021年至2029年，支出（包括资本支出）约120亿美元。

联电

2021年资本支出金额23亿美元，其中85%用于12英寸产能扩产，15%用于8英寸产能扩产。

12英寸产能扩充包括，15美元用以南科厂FAB12P5厂区28纳米1万片产能，其他资金用以厦门联芯12英寸28纳米产能。

与多家客户携手合作，客户以支付预付款（或者产能保证金）的形式，所得资金用以扩充FAB12P6厂区产能，约3万片28纳米HKMG产能，预计在2023年第2季度实现量产。

力积电

2021年3月25日，力积电开工新建一座12英寸晶圆厂，总投资新台币2780亿元，总产能每月10万片，将自2023年起分期投产，以成熟制程1x到50nm为主。

世界先进

世界先进宣布以新台币9.05亿元（约合人民币2.1亿元）的价格购买友达位于台湾竹科的L3B厂房。待改造完成后，成为世界先进的第五座8英寸晶圆厂，月产能预计4万片8英寸晶圆。L3B厂房交割日订为2022年1月1日。也就是说，如果一切顺利，世界先进第五座最快也要等到2023年出货。

格芯

2021年2月17日，格芯宣布为解决全球半导体供应紧缺的问题，已决定与美国国防部（DoD）达成战略合作伙伴关系，将在美国纽约北部马耳他扩建FAB8工厂，生产美国所需要的芯片。FAB8附件的66英亩地块已经于2020年6月获得。新工厂最快于2023年启用。

同时格芯表示，还将投资14亿美元以提升其在美国、新加坡和德国的三家晶圆代工厂产能，14亿美元将在2022年前投入使用，以增加生产12纳米至90纳米的芯片产能。

三星

2021年3月4日三星在提交给得克萨斯州官员的文件中透露了扩大在美芯片制造业务的计划，预计将在该项目上投资170亿美元。

该公司表示，预计的项目成本包括用于建筑和物业升级的51亿美元，以及用于设备的99亿美元。

相关供应链也已经证实三星将扩建位于美国德州奥斯丁的S2晶圆厂，新扩建晶圆厂将采用EUV曝光设备。

英特尔(INTC.US)

英特尔计划投资约200亿美元在美国亚利桑那州的Octillo园区新建两座晶圆厂。新晶圆厂将为英特尔现有产品和客户不断扩大的需求提供支持，并为代工客户提供所承诺的产能。

（智通财经编辑：张金亮）