资金继续蜂拥至“硅基通胀”主题! HBM霸主SK海力士美股ADR获超7倍狂热认购

智通财经APP获悉，有媒体援引知情人士透露的消息报道称，随着韩国存储芯片制造巨头SK海力士公司(SK Hynix Inc.)正准备于周四为其美股市场美国存托凭证(即美股ADR)的大规模发行定价，其美国上市最新获得超过七倍超额认购，可谓再度掀起“硅基通胀”狂想曲。知情人士表示，此次出售1.779亿份美国存托凭证，已吸引包括全球长期多头基金、专注科技行业的对冲基金、各大主权财富基金以及聚焦亚洲市场的华尔街顶级投资机构们在内的机构投资者需求。

根据此前提交给美国证券交易委员会(SEC)的一份上市发行文件，每份SK海力士美股ADR发行相当于十分之一股该公司普通股。按照周三韩国首尔股市收盘价每股207.6万韩元(1,380美元)计算，根据机构最新测算，此次美国发行将筹集约245亿美元，低于最初计划筹集的约294亿美元。需要重点指出的是，由于ADR发行总量维持不变，此次下调纯粹为股价变动所致，并非公司主动压缩融资意愿的信号。

按这一规模计算，根据机构汇编的数据，此次发行将跻身外国公司在美国股票市场最大规模ADR首秀之列，仅次于中国云计算与电商领军者阿里巴巴当时大约250亿美元的首秀。

SK海力士可谓积极寻求通过在美国股票市场上市交易来募集巨额资金用来扩张存储芯片产能，以利用全球投资者们对近年来股价狂飙且极度稀缺的存储芯片超级巨头股票的强劲需求。SK海力士赴美上市计划令资金蜂拥而至，加之美国存储芯片巨头美光(MU.US)刚公布的无比强劲业绩与展望，可谓凸显出存储芯片超级周期远未谢幕。

SK海力士欲筹集约294亿美元的赴美上市计划与美光最新公布的“业绩+指引”双爆表组合，合在一起可谓大幅强化了一个市场坚定的乐观周期判断：即所谓的“存储超级周期”远远未完结，而且已经从传统PC/智能手机周期，升级为AI数据中心主导的结构性稀缺超级周期。美光验证的是需求端真实强度，SK海力士验证的是资本端追捧热度，凸显出全球投资者们仍愿意为“存储芯片供给瓶颈”支付高溢价。

知情人士称，相关讨论仍在进行中，美国上市的细节可能会发生变化。SK海力士发言人拒绝置评。

此次美股市场ADR发行之际，SK海力士在韩国上市的股票以及美国上市的美光科技公司等竞争对手的股价近几日大幅下跌，主要因韩国股市看涨仓位极度拥挤且高度杠杆化背景下，市场对人工智能算力基础设施押注的狂热情绪似乎有所降温。SK海力士股价周三在韩国下跌5.7%，目前较6月下旬创纪录收盘高点下跌30%，尽管仍约为年初股价水平的足足三倍。

牵头SK海力士美股ADR发行的华尔街大型投资银行预计当地时间周三下午4点停止接受订单。此次发行由华尔街巨头美国银行、花旗集团、高盛集团和摩根大通牵头，另有九家机构也参与其中。

SK海力士已从Baillie Gifford、Coatue Management和Situational Awareness Partners等全球顶级投资机构获得强劲认购意向，认购规模最高可达70亿美元的此次发行ADR。

该公司及其长期竞争对手三星电子准备在韩国政府主导的且价值高达8800亿美元的韩国本土投资倡议框架下，加大在该国的投资规模，重点聚焦于AI数据中心建设以及存储芯片产能扩张。

这些ADR定于周五开始在美股纳斯达克全球精选市场以ADR代码“SKHYV”进行发行前交易;当它们于7月13日开始常规交易时，交易代码将变更为“SKHY”。

HBM王者借AI狂潮赴美上市融资，全球资金大举押注“硅基通胀”

SK海力士是向英伟达(NVDA.US)等AI芯片领军者们供应高带宽内存，即HBM存储系统的最核心供应商。此次美国上市计划也为SK海力士的非凡崛起画上一个阶段性句号。成为在全球堪称AI芯片垄断地位的AI芯片超级霸主商英伟达(NVDA.US)的首选HBM供应商后，它成为高带宽内存组件系统(即HBM系统)的全球最大规模HBM市场份额供应商。这使其在市值以及整体DRAM份额上一度超越长期以来的韩国竞争对手兼全球最大规模存储芯片制造商三星电子公司。

无论是谷歌无比庞大的TPU AI算力集群，抑或天量级别英伟达AI GPU算力集群，均离不开需要全面集成搭载AI芯片的HBM存储系统，叠加当前科技巨头们加速新建或扩建AI数据中心必须大规模购置服务器级别DDR5存储以及企业级高性能SSD/HDD;而三星电子、SK海力士以及美光科技正好同时卡在这三块最核心存储领域：HBM、服务器高性能DRAM(包括 DDR5/LPDDR5X)、以及高端数据中心级别SSD，是“AI内存+存储堆栈”里最直接的受益势力，可谓吃到AI基建浪潮的“超级红利”。

总部位于韩国的存储芯片霸主三星电子刚刚披露的无与伦比Q2初步业绩，几乎是这轮存储芯片超级周期最直观的利润样本。今年4至6月营业利润同比飙升约19倍，预计将达89.4万亿韩元(约合584亿美元)，再次刷新季度历史记录，较上季度强劲基数环比增长56%。同期营收预期达171万亿韩元，超出市场预估的169.2万亿韩元，并较上年同期增长约129%。公司计划于7月30日公布完整财报，届时将披露净利润及各业务部门分类数据。三星电子的季度营业利润，已超过英伟达上季度535.36亿美元(约合82万亿韩元)的营业利润，使其成为全球季度营业利润最高的公司。

TrendForce汇编的统计与预测数据揭示了这轮AI基建狂潮驱动的存储芯片涨价潮的结构性强度：2026年一季度传统DRAM合约价环比上涨约93%–98%，推动DRAM行业营收环比增长81%至970亿美元;该机构还预计2026年二季度传统DRAM合约价环比再涨58%–63%，NAND Flash合约价环比上涨70%–75%;预计在2026年第三季度，传统DRAM产品的合同价格将在创纪录基数基础上环比再上涨13%至18%，NAND闪存合约价格可能环比上涨10%至15%，并指出存储组件供应商们持续把产能转向AI服务器相关算力集群、NAND产能也越来越多分配给数据中心建设相关的企业级SSD需求。

今年以来全球资金所谓“寻觅硅基通胀、削弱碳基”的宏大投资叙事，本质是资本从传统制造、汽车、消费、地产、能源等依赖人口、资源和线性经济增长的“碳基资产”，转向AI算力基础设施相关的围绕硅片的高端制造链条。这不是单纯追逐科技股的叙事，而是全球资金在重新定价“未来增长的最核心载体”：谁掌握AI训练/推理相关的AI算力基础设施资源，谁就获得更高估值溢价，而是资金相对配置权重从依赖人口、油气、地产、消费周期的旧经济资产，转向能够承载AI训练/推理与自动化物理AI生产力扩张的基础设施资产。

当前全球资金拥抱“硅基通胀”的核心逻辑无疑在于——AI时代最稀缺的不是传统劳动力、地产或一般类型的生产与制造产能，而是GPU/ASIC、HBM/DRAM/NAND存储芯片、数据中心CPU组件、高性能以太网基础设施、先进封装产能、EUV等最前沿半导体制造设备、数据中心电力链条以及数据中心光互连/光通信这些“硅基生产资料”。

瑞银押注SK海力士ADR溢价交易：买美股ADR、抛售首尔股票，AI存储超级龙头套利窗口开启

据了解，此次美国股票市场存托凭证(即美股ADR)发行发生在SK海力士在韩国首尔市场交易的股票过去12个月疯狂上涨约850%之后，这推动该公司市值升至1万亿美元以上，一度超越韩国长期以来最大市值公司三星电子。由于仓位愈发拥挤且杠杆化策略规模越来越大，围绕与AI算力基建狂潮相关的半导体公司的投资者情绪近期一直波动不定，其今年以来的整体上涨过程中夹杂着双向剧烈波动。

随着韩国存储芯片巨无霸SK海力士ADR即将在美股市场公开交易，国际大行瑞银集团(UBS)在周二的一份报告中表示，投资者们应购买SK海力士公司计划发行的美股ADR，并积极卖出这家存储芯片制造巨头在韩国股票市场交易的股票，因为这些新发行证券可能会以溢价模式来进行交易。

在周二的亚洲股票市场，三星电子尽管公布利润同比暴增19倍，股价仍重挫10%，SK海力士同日跌幅亦达10%，导致韩国基准股指KOSPI指数单日两次熔断，折射出市场对极度拥挤且高度杠杆化的AI半导体主题涨势能否持续的深层疑虑。周三SK海力士与三星电子这两大超级权重继续在拥挤交易出清与去杠杆背景下疲软下行，韩国股市仍延续跌势，周四盘初则一度反弹近10%。

这家瑞士商业银行巨头的销售与交易部门在给客户们的一份报告中写道，与韩国股票市场相比，SK海力士美股ADR对对冲基金等国际市场的机构投资者们可能更具吸引力，因为持有这些证券将更高效、成本更低。报告称，一些全球投资组合经理如果其投资范围不包括以今年以来持续贬值的韩元计价的任何资产以及在首尔上市股票，也可能能够购买这些美国证券。

此外，即使存储芯片领军者们以及AI半导体板块股价近期陷入显著向下回调轨迹，华尔街金融巨头们依旧看好史无前例AI基建狂潮之下的“存储超级周期”以及AI半导体相关股票的长期牛市轨迹。华尔街知名投资机构野村发布研报反驳“半导体见顶论”，美国银行(BofA)本周最新发布的研报则显示，到2027年，全球云计算和人工智能相关基础设施资本支出将达到1.5万亿美元，并指出，当前包括存储芯片股票的AI半导体夏季回调是一轮健康重置轨迹，而不是人工智能算力需求层面出现任何结构性变化。

在华尔街，分析师们可谓集体看好这三大存储芯片原厂——即SK海力士、三星电子以及美光股价继续屡创新高式暴涨，核心逻辑在于全球AI数据中心建设进程如火如荼的AI基建狂潮大背景之下，由于AI算力基础设施需求持续炸裂，HBM、高容量DRAM与企业级NAND存储芯片需求仍然呈现出井喷式扩张，AI服务器、高性能计算以及云计算基础设施建设正在持续推高存储需求，而新增产能释放速度仍难以追上需求增长。

瑞银报告称：“投资者将关注SK海力士未来从韩国本地上市交易线转换至美国第二上市ADR交易线时，可能获得的外资额度空间。” “如果没有这种额度空间的弹性，投资渠道低效且不足的可能性，可能导致美国交易线以明显且持续的溢价交易。”

如果ADR不能完全兑换，美国上市ADR往往可能相较其境外本地上市股票以溢价交易。机构汇编的统计数据显示，“芯片代工之王”台积电(TSM.US)在美股市场发行的美股ADR本月较其在中国台湾股票市场所交易股票的平均溢价高达16%。