东吴证券：AI算力拉动存储扩产持续 存储测试机国产替代空间广阔

智通财经APP获悉，AI算力需求拉动存储价格持续大涨，DDR4与DDR5涨幅显著，长鑫存储营收高增、产能满载，国内扩产空间广阔。HBM成为AI芯片主流方案，海外龙头主导市场，国内加速追赶。HBM堆叠架构使测试道数增至传统DRAM的5倍以上，测试机需求大幅提升。当前存储测试机国产化率仅8%–10%，替代空间巨大。重点推荐长川科技(300604.SZ)，关注精智达(688627.SH)、联讯仪器(688808.SH)、悦芯科技（未上市）。

东吴证券主要观点如下：

存储持续涨价&两存上市在即，看好存储未来扩产持续性

自2024年底以来，在AI算力需求拉动下，DRAM与NAND Flash现货价格均进入快速上行通道，DDR4（8Gb）2024年底到2026年6月涨幅超17倍，DDR5（16Gb）2025年11月至2026年6月底涨幅约4.9倍。长鑫存储2025年营收618亿元，2026Q1营收同比+719%，产能利用率长期维持90%以上，资本开支持续高位。中国头部存储厂商与国际龙头产能差距显著，后续扩产空间广阔。

AI算力催生HBM需求，HBM成为AI芯片主流方案

AI服务器出货量2023-2025年接近翻倍，Trendforce预计2026年达275万台。HBM凭借高带宽、低延迟、低功耗优势成为应对内存墙的核心技术，在AI服务器BOM中价值量占比快速提升。2025年HBM市场基本由SK海力士（占据市场份额58.3%）、三星和美光占据，海外龙头已陆续实现HBM4量产，国内长鑫存储预计2027年实现HBM3e量产。

HBM堆叠对测试机提出KGSD等新需求，存储测试机需求量价齐升

HBM采用3D堆叠架构，测试重心前移至KGSD测试环节，测试道数由传统DRAM的3–4道提升至15道以上，存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍。HBM对测试设备在供电能力、时序精度、高并行测试能力及测试算法等方面均提出更高要求。

存储测试机国产化率极低，国产替代空间广阔

存储测试机市场2025年由爱德万（占据市场份额61%）和泰瑞达（占据市场份额24%）主导，国内国产化率仅8-10%，显著低于其他测试设备细分赛道，是半导体设备自主可控的重要短板。地缘政治环境复杂化背景下，国产替代逻辑强化，国内厂商正加速布局。

投资建议

重点推荐国内存储测试机领先布局厂商，重点推荐【长川科技】、建议关注【精智达】、【联讯仪器】、【悦芯科技（未上市）】。

风险提示

封测设备需求不及预期、技术研发不及预期、行业竞争加剧。